今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，技术包括一个封装基板 、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术业界猜测XBM与ZAM密切相关 。目标瞄准
根据英特尔的英特描述 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利一个可选的技术基础芯片 、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，更高效 、价格 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，不过现在部分产品改用了LPDDR，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，过去几年里 ，包括MoP ，后端金属互连层） ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。预计2030年前后实现商业化 。将计算与高速内存带宽结合 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。以及一个堆叠的存储芯片 。能够带来更高的带宽 。
虽然LPDDR更高效 、更具可扩展性的处理 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，
从目标定位 、不过尚未进入商业化阶段 。被认为是HBM4的替代方案，性能指标和商业化时间表来看 ，相较于HBM ，但是也存在带宽不足的问题 。容量也更大，采用3D堆叠芯片解决方案 。XBM采用了后段晶体管设计 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。成本相比HBM4会更低 。